1 月 25 日消息，英特爾今日宣布，已實(shí)現(xiàn)基于業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝解決方案的大規(guī)模生產(chǎn)，其中包括英特爾突破性的 3D 封裝技術(shù) Foveros。 　　這一技術(shù)是在英特爾最新完成升級(jí)的美國(guó)新墨西哥州 Fab 9 投產(chǎn)的。英特爾公司執(zhí)行副總裁兼首席全球運(yùn)營(yíng)官 Keyvan Esfarjani 表示：“先進(jìn)封裝技術(shù)讓英特爾脫穎而出，幫助我們的客戶在芯片產(chǎn)品的性能、尺寸，以及設(shè)計(jì)應(yīng)用的靈活性方面獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。”

　　隨著整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入在單個(gè)封裝中集成多個(gè)“芯粒”(注：Chiplets，又稱“小芯片”)的異構(gòu)時(shí)代，英特爾的 Foveros 和 EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)等先進(jìn)封裝技術(shù)號(hào)稱可以實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝中集成一萬(wàn)億個(gè)晶體管，并在 2030 年后繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律。

　　據(jù)介紹，英特爾的 3D 先進(jìn)封裝技術(shù) Foveros 在處理器的制造過(guò)程中，能夠以垂直而非水平方式堆疊計(jì)算模塊。此外，F(xiàn)overos 讓英特爾及其代工客戶能夠集成不同的計(jì)算芯片，優(yōu)化成本和能效。

　　該公司曾表示，規(guī)劃到 2025 年時(shí)，其 3D Foveros 封裝的產(chǎn)能將增加四倍。