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SK 海力士開始量產(chǎn) HBM3E 內(nèi)存,本月下旬起向英偉達(dá)供貨

科技來源:IT之家2024-03-19 09:58
  3 月 19 日消息,英偉達(dá)今日發(fā)布了地表最強的 AI 加速卡--Blackwell GB200,采用臺積電 4NP 工藝制程,配備 192 HBM3E 內(nèi)存,共有 2080 億個晶體管,推理大語言模型性能比 H100 提升 30 倍,成本和能耗降低 96%。

  SK 海力士今日發(fā)布新聞稿宣布其最新的超高性能 AI 內(nèi)存產(chǎn)品 HBM3E 已開始量產(chǎn),并將從本月下旬起向客戶供貨,距離去年 8 月宣布開發(fā)僅隔了 7 個月。

  據(jù)介紹,SK 海力士是首家實現(xiàn)量產(chǎn) HBM3E 供應(yīng)商,HBM3E 每秒可處理 1.18TB 數(shù)據(jù),相當(dāng)于在 1 秒內(nèi)可處理 230 部全高清(FHD)級電影。

  由于 AI 對內(nèi)存的運行速度要求極高,HBM3E 相比前幾代產(chǎn)品更注重散熱方面的表現(xiàn)。SK 海力士表示,其 HBM3E 采用先進(jìn)的 MR-MUF 技術(shù),散熱性能較上一代產(chǎn)品提高了 10%,從而在散熱等所有方面都達(dá)到了全球最高水平。

  注:MR-MUF 是一種將半導(dǎo)體芯片堆疊后,為了保護(hù)芯片和芯片之間的電路,在其空間中注入液體形態(tài)的保護(hù)材料,并進(jìn)行固化的封裝工藝技術(shù)。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較,工藝效率更高,散熱方面也更加有效。

  SK 海力士 HBM 業(yè)務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長柳成洙表示,“公司通過全球首次 HBM3E 投入量產(chǎn),進(jìn)一步強化了領(lǐng)先用于 AI 的存儲器業(yè)界的產(chǎn)品線”,還表示,“以至今積累的 HBM 業(yè)務(wù)成功經(jīng)驗為基礎(chǔ),將進(jìn)一步夯實與客戶的關(guān)系,并鞏固‘全方位人工智能存儲器供應(yīng)商’的地位。”

  除 SK 海力士外,其競爭對手三星電子和美光也已經(jīng)在向 Nvidia 提供 HBM3E 樣品,但它們還需要完成最終的質(zhì)量認(rèn)證測試,以確保產(chǎn)品能夠達(dá)到出貨質(zhì)量要求,而 SK 海力士比預(yù)先安排的檔期提前了至少兩個月。

  目前,NVIDIA 已經(jīng)占據(jù) AI GPU 市場 90% 以上的份額;而在存儲領(lǐng)域,SK 海力士已經(jīng)占據(jù)全球 HBM 市場一半以上的份額,更是 100% 壟斷了 128GB DDR5 這類大容量 DRAM 產(chǎn)品市場。

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