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　　領銜掀起這一話題風暴的，是目前穩坐全球晶圓代工龍頭寶座的臺積電。在近日舉行的行業技術論壇上，臺積電方面首度披露，外界關注的3納米制程將在今年下半年試產，同時將花費1萬億元新臺幣(約合人民幣 2290億元)擴大2納米產能布局，并在2024年試產，2025年開始量產。

　　雖然并未言明提前透露下一代制程計劃的意圖，但外界都將其解讀為向老對手三星的回應。作為目前全球晶圓代工市場上僅次于臺積電的另一巨頭，三星在去年底舉行的全球代工論壇上率先公布，將在2025年量產2納米制程芯片。

　　值得注意的是，根據計劃，雙方都將在2納米工藝上采用新的納米片晶體管(Gate-All-Around FET，以下簡稱“GAA”)結構，以取代目前主流的鰭式場效應晶體管(FinFET)結構。相比于后者，GAA結構可以更為精確地減少漏電損耗，降低功耗。

　　唯一區別的是，為了勝過對手，三星更為“激進”地決定，將在3納米上就搶先采用GAA結構工藝。而就在6月30日，三星方面官方宣布，基于GAA結構的3納米制程芯片已開始初步生產。多位半導體業內人士向《中國經營報》記者表示，這一舉動，將加劇目前雙方在先進制程領域的競爭，并將2納米之爭推向比外界所預想的更為激烈的程度。

　　角力從3納米開始

　　雖然在臺積電最新路線圖公布后，業界關注的焦點已經轉移到了最為前沿的2納米上，但在實質上，這場制程戰事的核心仍舊集中在3納米。

　　“3納米的GAA工藝能不能成功，將決定三星在2納米能不能追上臺積電。”CHIP全球測試中心中國實驗室主任羅國昭向記者表示，如果不在3納米上搶先使用GAA工藝，按照目前的市場格局，以及既有的競爭路徑演進分析，三星追上臺積電的可能性很小。

　　TrendForce數據顯示，目前臺積電的市場份額接近52.9%，而三星位居第二，市場份額為17.3%。羅國昭指出，當下的芯片代工已經變成一個資本與技術雙密集型的產業，這也意味著行業的馬太效應極強。以臺積電目前的市場領先優勢，三星與之相比，差距懸殊。因此，三星不如放手一搏，否則不要說趕超，甚至有可能被甩開更遠。

　　同時，羅國昭表示，由于涉及調試與檢驗，在新制程之上再使用新結構，等于是雙份的冒險，因此，三星需要在進入2納米與臺積電正面對決前，將3納米作為一個檢驗新技術的嘗試領域。“加上之前在5納米上，三星便因為良率不過關影響過進度，所以這次提前可能更有必要。”羅國昭表示。

　　而即便是沿用老架構，制程換代對于臺積電而言也同樣不易。記者注意到，根據計劃，臺積電3納米原本的量產時間是在2022年下半年。但據半導體業資深分析師郭明錤日前透露，臺積電3納米和4納米改良版要到2023年才能實現大規模量產，將導致今年的iPhone新機也只能使用5納米改良版和4納米制程。

　　在投入力度上，三星也可謂一擲千金。財報顯示，雖然2021年三星電子在半導體領域投資約337億美元，與臺積電約300億美元投入相當，但在未來五年，三星則宣布將投資3600億美元用于半導體先進制程，年均超700億美元。對比之下，臺積電2022年的預計開支則為400億~450億美元。

　　對此，半導體產業分析師季維認為，相比于三星，臺積電更像是守成者的角色，且由于擁有蘋果、高通、英特爾等大客戶的重要訂單，為了保證交貨質量，在3納米上沿用傳統架構的路線相對更為穩妥，而三星則顧忌更少。

　　公開信息顯示，相比于5納米，三星的3納米制程產品性能與電池效率分別提高了15% 和30%，同時芯片面積減少了35%。在今年上半年試產使用GAA結構的新工藝后，三星計劃在2023年將其引入第二代3納米芯片中，并在2025 年量產基于GAA結構的2納米芯片。

　　攪局者英特爾

　　臺積電、三星激戰正酣之際，尖端制程領域的覬覦者也在躍躍欲試。而這次扮演闖入者角色的，則是老牌巨頭英特爾。自2021年提出IDM 2.0戰略后，英特爾瞄準了從7納米至1.8納米的多代制程研發計劃，計劃一年一代推進，其中2024年將量產2納米制程，2025年量產1.8納米制程。

　　對于英特爾的意圖，季維分析稱，隨著5G、AI、手機、自動駕駛、高性能計算市場快速發展，先進制程芯片的需求也越來越大，雖然投入高，但一旦研發成功，利潤回報也同樣豐厚，并能就此掌握產業鏈的話語權與主動權。對于巨頭們而言，這一誘惑力不言而喻。

　　根據去年公布的計劃，英特爾將在美國亞利桑那州投資約200億美元，新建兩座晶圓制造工廠。而進入2022年以來，英特爾還宣布新增200億美元在俄亥俄州再建兩座新晶圓廠，并計劃于2025年投產，同時以54億美元收購全球第九大晶圓代工廠商高塔半導體。

　　對此，羅國昭表示，雖然英特爾的確有意在新制程領域搶占更多份額，但此前在10納米和7納米制程的跳票延期，讓其公布的藍圖能否順利實現受到業界質疑。在羅國昭看來，英特爾選擇高調公布在先進制程上的雄圖，一大原因是為了拿到更多美國官方的產業補貼。

　　值得注意的是，就在近日，由于美國國會遲遲未通過芯片扶持法案，原定于7月下旬的英特爾俄亥俄州新廠開工儀式宣告無限期延后。羅國昭指出，如果拿不到預期的資金，目前的英特爾很難支撐起在高精制程領域的巨額研發投入以及建廠成本。

　　不過，與臺積電不同，羅國昭認為，英特爾的優勢與三星類似，便是自身并不是純粹的代工廠商，即便新制程研發不如預期，也能依靠自身在芯片端的需求，消化掉多余產能。而從目前世界市場來看，10納米至28納米還有著廣泛的客戶，在全球近年整體缺芯的背景下，英特爾有著相對從容的應對空間。

　　在季維看來，更為有利的是，全球芯片代工市場遠未達到飽和，仍處于增量空間。Yole研報預測，全球芯片代工市場2021年增長率達27%，預計2022年增長率仍將維持在20%以上。在此背景下，如果2022年市場需求仍保持正向增長，除臺積電與三星外的第三陣營的增長機會仍然很大，而英特爾目前正是這一陣營的有力競爭者。

　　“一超多強”格局不變

　　三星和英特爾陸續吹起的進軍號角，雖然讓臺積電感受到了壓力，但在業界人士看來，短期內，芯片代工領域的“一超多強”格局不會有較大改變。

　　公開財報顯示，臺積電2021年總營收達1.59萬億元新臺幣(約合人民幣3549億元)，同比增長18.5%;稅前凈利潤為6631億元新臺幣(約合人民幣1480億元)，同比增長13.4%。

　　“芯片代工產業發展到今天，除了表現出對資本和技術的高要求外，自身也形成了非常高的技術壁壘。臺積電積累的技術迭代優勢，讓其他新晉廠商根本無從挑戰。”羅國昭指出，這一技術優勢的外化表現，就是先進制程。

　　以3納米為例，記者注意到，雖然客戶的具體需求數據屬于商業機密，但蘋果、AMD、英偉達、高通、英特爾、聯發科等公司，都已是臺積電量產初期的公開客戶。季維向記者指出，芯片代工的制造業屬性很強，而該產業的一大規律便是，一旦建立起合作和信任，在沒有外力影響的情況下，客戶喜歡固守穩定的傳統供應商。

　　同時，季維認為，更具優勢的因素在于，臺積電是純粹的代工商角色，不像三星、英特爾也同時涉足與客戶的業務競爭，而這會讓臺積電收獲客戶更多的信任。在此背景下，國際市場數據研究機構TrendForce今年4月公布了一份研報，預測到2022年，臺積電在全球代工市場中的份額將進一步增加到56%。

　　不過，隨著三星、英特爾向2納米發起沖刺，臺積電的危機感會多添幾分。“從產業整體的角度考慮，這樣的良性競爭是有利的，能夠激發更多的創新。”季維表示，從制程迭代的角度來看，半導體制造產業在近五年狂飆突進式的成就遠超前幾十年。隨著半導體制程進入2納米領域，打破摩爾定律失效的危機，也變得更為可能。