按照官方的說法，新型號的EUV光刻機系統(tǒng) NXE:3600D將能達(dá)到93%的可用性，這將讓其進(jìn)一步接近DUV光刻機(95%的可用性)。

　　數(shù)據(jù)顯示，NXE:3600D系統(tǒng)每小時可生產(chǎn)160個晶圓 (wph)，速度為30mJ/cm，這比 NXE:3400C高18%。二正在開發(fā)的 NXE:3800E系統(tǒng)最初將以30mJ/cm的速度提供大過195wph的產(chǎn)能，并在吞吐量升級后達(dá)到220wph。

　　據(jù)介紹，NXE:3600E 將在像差、重疊和吞吐量方面進(jìn)行漸進(jìn)式光學(xué)改進(jìn)，而在0.33 NA的EUV光刻機領(lǐng)域，ASML路線圖包括到2025年左右推出吞吐量約為220wph的NXE:4000F。

　　對于0.55 NA的光刻機，需要更新的不但是其光刻機系統(tǒng)。同時還需要在光掩模、光刻膠疊層和圖案轉(zhuǎn)移工藝等方面齊頭并進(jìn)，才能讓新設(shè)備應(yīng)用成為可能。

　　根據(jù)ASML 在一季度財務(wù)會議上披露的數(shù)據(jù)，公司的目標(biāo)是在2022年出貨55臺EUV系統(tǒng)，并到2025年實現(xiàn)(最多)90臺工具的計劃。ASML同時還承認(rèn)， 90臺可能超過2025年的實際需求，不過他們將其描述為為滿足2030年1萬億美元半導(dǎo)體行業(yè)需求所做出的巨大努力。

　　按照之前的說法，ASML正在研發(fā)新款光刻機，價值高達(dá)4億美元(約合26億元人民幣)，雙層巴士大、重超200噸。原型機預(yù)計2023年上半年完工，2025年首次投入使用，2026年到2030年主力出貨。

　　這款機器應(yīng)該指的就是High-NA EXE:5200(0.55NA)，Intel是全球第一個下單的公司。所謂High-NA也就是高數(shù)值孔徑，2nm之后的節(jié)點都得依賴它實現(xiàn)。