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一度因開發(fā)時(shí)程延誤的臺(tái)積電3納米制程近期獲得重大突破。臺(tái)積電決定今年率先量產(chǎn)第二版3納米制程，命名為“N3B”。
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電將于今年8月于新竹十二廠研發(fā)中心第八期工廠及南科十八廠P5廠同步投片，正式以鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)，對(duì)決三星的環(huán)繞閘極（GAA）制程。
業(yè)界傳言，之前因開發(fā)時(shí)程延誤，導(dǎo)致蘋果手機(jī)新一代處理器今年仍采用5納米加強(qiáng)版N4P。
臺(tái)灣《聯(lián)合報(bào)》報(bào)道，目前臺(tái)積電初步規(guī)劃新竹工廠每月產(chǎn)能約1萬至2萬片，臺(tái)南工廠產(chǎn)能為1.5萬片。
今年1月份，臺(tái)積電總裁魏哲家在法人說明會(huì)上表示，臺(tái)積電3納米制程進(jìn)展符合預(yù)期，將于今年下半年量產(chǎn)，客戶也比預(yù)期多。同時(shí)，他還指出，3納米制程將主要應(yīng)用于高效應(yīng)運(yùn)算及智能手機(jī)領(lǐng)域，預(yù)期3納米將是繼5納米之后，另一大規(guī)模世代制程。
今年第一季度，臺(tái)積電營(yíng)收同比增長(zhǎng)35.5%至4910.8億新臺(tái)幣，創(chuàng)下歷史新高。
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