雖然在7nm、5nm及4nm節點上落后了一些，但在接下來的3nm節點三星更激進，要全球首發GAA晶體管工藝，放棄FinFET晶體管技術，而臺積電的3nm工藝依然會基于FinFET工藝。

　　三星之前表示，GAA是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

　　根據三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優于臺積電3nm FinFET工藝。

　　當然，這些還是紙面上的，三星的3nm工藝挑戰也不少，光是量產就是個問題，之前三星宣傳2021年就量產，實際上并沒有，最快也是今年，而且首發的是3GAE低功耗工藝，高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

　　據韓國媒體報道，三星已經準備在韓國平澤市的P3工廠開工建設3nm晶圓廠了，6、7月份動工，并及時導入設備。

　　按照這個進度，今年的3GAE工藝應該也只會是小規模試產，大規模量產也要到明年了，跟臺積電的3nm工藝差不多，兩家都因為種種問題延期量產3nm工藝了。