雖然在華為事件發(fā)生后，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各端都加大了力度研發(fā)，相關(guān)企業(yè)也取得了不錯的成績，但在存儲芯片這一細(xì)分領(lǐng)域仍然被海外企業(yè)所壟斷。

　　據(jù)了解，存儲芯片是集成電路市場中占比最大，且應(yīng)用最廣泛的品類，行業(yè)規(guī)模巨大，且在逐漸增長中。

　　TechWeb曾報(bào)道，有研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，到2023年全球存儲芯片市場規(guī)模，預(yù)計(jì)會達(dá)到1804億美元，約合人民幣1.149萬億元。

　　但遺憾的是，全球存儲芯片行業(yè)的壟斷程度非常高，來自日本、韓國、美國的企業(yè)拿走了大部分市場份額，尤其是在內(nèi)存DRAM和閃存NAND FLASH市場。

　　據(jù)了解，在眾多存儲芯片中，內(nèi)存DRAM和閃存NAND FLASH的應(yīng)用最為廣泛，但在這兩大市場，壟斷態(tài)勢也最為嚴(yán)峻。

　　12月26日IT之家消息，市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示，目前DRAM市場基本被三星電子、SK海力士、美光三家企業(yè)瓜分。

　　具體來看，三星在DRAM市場的占比達(dá)到43.9%，SK海力士緊隨其后，占比27.6%，而美光以22.7%的市場份額排名第三，這三家企業(yè)所占份額總計(jì)94.2%。

　　因?yàn)轫n國美國企業(yè)的壟斷，中國DRAM存儲芯片企業(yè)只能在夾縫中求生存。

　　但要知道，中國是全球存儲芯片重要需求市場，世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，中國存儲芯片市場在2023年的市場規(guī)模有望達(dá)到6492億元人民幣。

　　而DRAM又是存儲器分支中市場規(guī)模最大的產(chǎn)品，中國在這一細(xì)分領(lǐng)域受制于人，必然會影響相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，一旦外企因?yàn)槟承┰驍喙┲袊髽I(yè)，那么中國整個電子產(chǎn)業(yè)都將陷入困境。

　　因此，近些年國內(nèi)各方勢力一直在努力研發(fā)、創(chuàng)新，試圖在整個存儲芯片領(lǐng)域獲得更多的話語權(quán)。

　　慶幸的是，在政府、政策的推動下，國內(nèi)不少存儲芯片領(lǐng)域的企業(yè)都取得了長足進(jìn)步，例如紫光南京、福建晉華、合肥長鑫等，已經(jīng)成長為國內(nèi)DRAM存儲領(lǐng)域的巨頭。

　　其中，合肥長鑫被業(yè)內(nèi)外視作我國短期內(nèi)完成DRAM國產(chǎn)替代最大的希望。公開資料介紹，合肥長鑫主要生產(chǎn)移動DRAM，目前已經(jīng)具備量產(chǎn)能力，而且是中國大陸唯一一家能夠自主生產(chǎn)DRAM的廠商。

　　從技術(shù)方面來看，合肥長鑫DRAM正處于17nm研發(fā)階段，計(jì)劃在今年完成17nm的工藝研發(fā)，并開展DDR5 DRAM產(chǎn)品研發(fā)。雖然技術(shù)較三星、SK海力士和美光落后了4年，但能取得這一成績已是十分不易。

　　眾所周知，存儲芯片屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，因?yàn)榧夹g(shù)門檻頗高，而中國在這一領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)又較為薄弱，想要在美韓企業(yè)的壟斷下有所突破并不容易。

　　不僅如此，在存儲芯片突圍的過程中，還需要大量的資金投入，這相關(guān)企業(yè)來說也是一個不小的壓力。因此，合肥長鑫能在美韓巨頭的包圍下取得如今的成績，這非常值得我們驕傲。

　　另外，合肥長鑫還在加速擴(kuò)充產(chǎn)能，于今年6月份舉行了第二期12寸廠房的奠基儀式。預(yù)計(jì)在三期目標(biāo)完成并滿產(chǎn)后，合肥長鑫的產(chǎn)能有望達(dá)到36萬片/月。

　　不過，我們也該清楚的認(rèn)識到，合肥長鑫雖然在夾縫中實(shí)現(xiàn)突圍，但在中國乃至全球DRAM市場上的話語權(quán)仍然非常低。中國企業(yè)想要在存儲芯片領(lǐng)域擺脫海外企業(yè)的壟斷，還有很長的一段路要走。

　　那么，你對中國企業(yè)突圍DRAM市場是否有信心?