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臺積電芯片工藝突破!3nm相比5nm密度提升1.7倍

科技來源:新浪2021-12-28 10:52

  臺積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球,在近日于無錫舉辦的中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2021年會暨無錫集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇上分享了該公司在芯片制程工藝上的最新進(jìn)展。

  羅鎮(zhèn)球?qū)⒃撝黝}演講的標(biāo)題定為《半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新時(shí)代》。在演講中,羅鎮(zhèn)球宣布,臺積電的7nm工藝是在2018年推出的,5nm在2020年推出,在2022年會如期推出3nm工藝,而且2nm工藝也在順利研發(fā)。同時(shí)指出“雖然有很多人說摩爾定律在減速或者在逐漸消失,可事實(shí)上臺積電正在用新工藝證明了摩爾定律仍在持續(xù)往前推進(jìn)。”

  在峰會上,羅鎮(zhèn)球向外界展示了臺積電芯片工藝研發(fā)路線圖,從 5nm 工藝至 3nm,晶體管邏輯密度可以提升 1.7 倍,性能提升 11%,同等性能下功耗可以降低 25%-30%。對于這樣的性能提升,羅鎮(zhèn)球指出該公司的實(shí)現(xiàn)方式是,其一是改變晶體管的結(jié)構(gòu),其二是改變晶體管的材料。此外,他還強(qiáng)調(diào),未來會通過3D 封裝技術(shù)來提高芯片的性能。

  根據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示,截至最新,臺積電及其關(guān)聯(lián)公司在126個(gè)國家/地區(qū)中,共有6萬8千余件專利申請,幾乎所有專利都是發(fā)明專利。值得注意的是2015年以前臺積電的授權(quán)專利占比是90%以上。

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